Anterwell Technology Ltd.

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Große Original-Lager von IC Elektronische Bauelemente, Transistoren, Dioden usw.

Hohe Qualität, angemessener Preis, schnelle Lieferung.

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DS1230Y-150+ 256k permanentes SRAM SS ersetzt RAM-Modul IC

Gute Qualität programmierbare IC-Chips en ventes
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Wir haben mit Anterwell in der Nähe von 7 Jahre zusammenarbeiten. immer sehr gute Qualität guter Service. Original und sehr schnelle Lieferung. Ein sehr guter Partner.

—— Clemente Von Brzail

Ich mache das Geschäft mit Anterwell aus dem Jahr 2006, von kleinen bis zu großen Aufträgen. Zuverlässig!

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DS1230Y-150+ 256k permanentes SRAM SS ersetzt RAM-Modul IC

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Großes Bild :  DS1230Y-150+ 256k permanentes SRAM SS ersetzt RAM-Modul IC

Produktdetails:

Herkunftsort: Philippinen
Markenname: DALLAS
Zertifizierung: Original Factory Pack
Modellnummer: DS1230Y-150+

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5X
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: treten Sie mit mir bitte für Details in Verbindung
Lieferzeit: 1 Tag
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 600PCS
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Features: 10 Jahre minimale Datenzurückhalten in Ermangelung der Aussenbord-Stromversorgungsanlage Features2: Daten werden automatisch während des Leistungsabfalls geschützt
Features3: ? 32k Ersetzt x 8 flüchtigen statischen RAM, EEPROM oder Flash-Speicher Anwendungen: Unbegrenzte Schreibzyklen
Typische Anwendungen 1: Niederleistungs-CMOS Typische Anwendungen 2: Lesen Sie und Schreibzugriffzeiten so schnell wie 70 ns

DS1230Y-150 + 256k nichtflüchtiger SRAM SS ersetzt RAM-Modul-IC

EIGENSCHAFTEN

10 Jahre Mindestdatenspeicherung ohne externe Stromversorgung

Die Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt

Ersetzt 32k x 8 flüchtigen statischen RAM, EEPROM oder Flash-Speicher

Unbegrenzte Schreibzyklen

Low-Power-CMOS

Lese- und Schreibzugriffszeiten so schnell wie 70 ns

Die Lithium-Energiequelle wird elektrisch getrennt, um Frische zu erhalten, bis die Energie zum ersten Mal angelegt wird

Voller ± 10% VCC-Betriebsbereich (DS1230Y)

Optional ± 5% VCC Betriebsbereich (DS1230AB)

Optionaler industrieller Temperaturbereich von -40 ° C bis + 85 ° C, IND genannt

JEDEC-Standard 28-poliges DIP-Paket

Neues PowerCap-Modulpaket (PCM)

- Direkt oberflächenmontierbares Modul

- Austauschbarer Schnappverschluss

-on PowerCap bietet Lithium-Backup-Batterie

- Standardisierte Pinbelegung für alle nichtflüchtigen SRAM-Produkte

- Die Detachment-Funktion am PowerCap ermöglicht eine einfache Entfernung mit einem normalen Schraubenzieher

PIN BESCHREIBUNG

A0 - A14 - Adresseingänge

DQ0 - DQ7 - Dateneingang / Datenausgang

CE - Chip aktivieren

WE - Schreiben aktivieren

OE - Ausgang aktiviert

VCC - Leistung (+ 5V)

GND - Masse

NC - Keine Verbindung

BESCHREIBUNG

Die DS1230 256k nichtflüchtigen SRAMs sind 262.144 Bit umfassende, vollstatische, nichtflüchtige SRAMs, die als 32.768 Wörter zu 8 Bit organisiert sind.

Jeder NV-SRAM besitzt eine unabhängige Lithium-Energiequelle und eine Steuerschaltung, die VCC ständig auf einen außerhalb der Toleranz liegenden Zustand überwacht.

Wenn ein solcher Zustand auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz wird unbedingt aktiviert, um eine Datenkorruption zu verhindern.

DIP-Gehäuse DS1230-Geräte können anstelle von vorhandenen 32k x 8 statischen RAMs verwendet werden, die direkt dem populären bytebreiten 28-poligen DIP-Standard entsprechen.

Die DIP-Geräte passen auch auf die Pinbelegung von 28256-EEPROMs, wodurch eine direkte Substitution möglich ist und gleichzeitig die Leistung verbessert wird. DS1230-Geräte im Low Profile Module-Paket sind speziell für SMD-Anwendungen konzipiert.

Es gibt keine Begrenzung für die Anzahl der Schreibzyklen, die ausgeführt werden können, und es ist keine zusätzliche Unterstützungsschaltung für die Mikroprozessor-Schnittstellen erforderlich.

LESE MODUS

Die DS1230-Geräte führen einen Lesezyklus immer dann aus, wenn WE (Write Enable) inaktiv (High) und CE (Chip Enable) und OE (Output Enable) aktiv sind (Low).

Die eindeutige Adresse, die durch die 15 Adresseingänge (A0 - A14) spezifiziert wird, legt fest, auf welches der 32.768 Datenbytes zugegriffen werden soll. Gültige Daten stehen den acht Datenausgabetreibern innerhalb der tACC (Zugriffszeit) zur Verfügung, nachdem das letzte Adresseneingabesignal stabil ist, vorausgesetzt, dass die Zugriffszeiten CE und OE (Output Enable) ebenfalls erfüllt sind.

Wenn OE- und CE-Zugriffszeiten nicht erfüllt sind, muss der Datenzugriff von dem später auftretenden Signal (CE oder OE) gemessen werden, und der Begrenzungsparameter ist entweder tCO für CE oder tOE für OE und nicht für Adresszugriff.

Schreibmodus

Die DS1230-Geräte führen einen Schreibzyklus aus, wenn die WE- und CE-Signale aktiv sind (niedrig), nachdem die Adresseingänge stabil sind. Die später auftretende fallende Flanke von CE oder WE bestimmt den Beginn des Schreibzyklus.

Der Schreibzyklus wird durch die frühere ansteigende Flanke von CE oder WE beendet. Alle Adresseingänge müssen während des gesamten Schreibzyklus gültig bleiben.

Wir müssen für eine minimale Erholungszeit (tWR) in den hohen Zustand zurückkehren, bevor ein anderer Zyklus eingeleitet werden kann. Das OE-Steuersignal sollte während Schreibzyklen inaktiv (high) bleiben, um Buskonflikte zu vermeiden.

Wenn jedoch die Ausgangstreiber aktiviert sind (CE und OE aktiv), wird WE die Ausgänge in tODW von seiner fallenden Flanke abschalten.

PARAMETER SYMBOL MINDEST TYP MAX EINHEITEN ANMERKUNGEN
DS1230AB Versorgungsspannung V CC 4.75 5.0 5.25 V /
DS1230Y Netzteilspannung V CC 4.5 5.0 5.5 V
Logik 1 VIH 2.2 VCC V
Logik 0 VIL 0.0 0.8 V

Kontaktdaten
Anterwell Technology Ltd.

Ansprechpartner: Miss. Sharon Yang

Telefon: 86-755-61352205

Faxen: 86-755-61352206

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